【概要描述】2024年9月20日,南宫28ng先进化合物半导体光电子平台项目正式封顶,南宫28ng董事长总经理闵大勇及公司高管、中设建设集团负责人等出席封顶仪式。
【概要描述】2024年9月20日,南宫28ng先进化合物半导体光电子平台项目正式封顶,南宫28ng董事长总经理闵大勇及公司高管、中设建设集团负责人等出席封顶仪式。
2024年9月20日,南宫28ng先进化合物半导体光电子平台项目正式封顶,南宫28ng董事长总经理闵大勇及公司高管、中设建设集团负责人等出席封顶仪式。
▲封顶仪式现场
南宫28ng先进化合物半导体光电子平台建设项目总占地面积约31亩,含生产中心、研发中心、动力站及配套设施,旨在建设国内一流的半导体激光芯片研发及生产平台,对标国际顶尖水准,打造基于多种化合物半导体的光电与电子器件的材料、工艺以及封装技术开发的先进器件研发和产业化平台。该项目是继2022年8月8日南宫28ng搬迁新基地后的又一重大工程,是公司实施“一平台,一支点,横向扩展,纵向延伸”发展战略的里程碑工程,该项目已被列入江苏省重点工程。
项目于2023年开工,预计2025年建成并全面投产。
本次项目封顶标志着南宫28ng在多种化合物半导体光电芯片、器件等方面的产能、研发水平、横向扩展和纵向延伸能力都将迈上新台阶!横向覆盖从可见光、近红外、中波、长波多波段激光芯片和硅光集成芯片,纵向延伸从激光显示、工业激光、光通讯、激光传感到生命科学与健康等主流应用和未来产业。
▲效果图
在目前国际领先的6吋化合物生产线基础上,推动研发硬件条件以及研发生产水平全面达到国际先进,全力构建政府、资本、产业、区域、研究所及企业、上下游创新协同、供应链互通的新一代中国激光国产化产业生态链,推动我国激光产业科技创新!
心所往,光所至!
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