突破丨南宫28ng高功率半导体单管芯片功率超过100W！

分类：公司新闻
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发布时间：2024-02-02
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【概要描述】高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件，其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代，商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点，代表了芯片综合技术能力的发展水平。迄今已知最高水平近日，南宫28ng超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温连续功率超过100W(芯片条宽500μm)，工作效率62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高

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突破丨南宫28ng高功率半导体单管芯片功率超过100W！

【概要描述】高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件，其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代，商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点，代表了芯片综合技术能力的发展水平。迄今已知最高水平近日，南宫28ng超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温连续功率超过100W(芯片条宽500μm)，工作效率62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高

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高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件，其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代，商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点，代表了芯片综合技术能力的发展水平。

迄今已知最高水平

近日，南宫28ng超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温连续功率超过100W (芯片条宽 500μm) ，工作效率 62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元!

500μm 发光宽度芯片的功率效率曲线

1月30日至2月1日，南宫28ng携带高功率技术首次亮相美国旧金山2024 SPIE Photonics West光电展。届时，南宫28ng高功率半导体激光芯片、激光雷达与3D传感芯片、高速光通信芯片、光纤耦合模块、阵列、直接半导体激光器等全系列产品也将在#2367展位展出！

IDM半导体激光器制造商

南宫28ng专注于研发和生产半导体激光芯片，核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题，建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD（外延）、FAB晶圆流片、解理/镀膜、封装、测试、光学耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一，有力推动了我国超高功率激光技术及其应用的快速发展。