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Booth 1129丨南宫28ng邀您共赴OFC2025
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金耀奖新产品奖丨976nm 1400W 300μm高结温芯片模块
2025年第五届激光金耀奖颁奖典礼在上海举办，南宫28ng976nm 1400W 300μm尾纤泵浦模块荣获“2025年激光金耀奖”新产品奖。
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链动未来 智造辉煌丨第四届激光生态协同新产品及应用发布会顺利举办！
3月7日，南宫28ng与华日激光、金橙子联合举办主题为“链动未来，智造辉煌”的第四届激光生态协同新产品及应用发布会，南宫28ng董事长闵大勇、副总经理吴真林、华日激光董事长何立东、金橙子董事长吕文杰等出席活动。
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展位#5331丨南宫28ng邀您共聚美国西部光电展！
1月25日至30日，一年一度的美国西部光电展（Photonics West 2025）及同期大会将在美国旧金山莫斯克尼会议中心（The Moscone Center）举办。 南宫28ng将携高功率半导体激光芯片、激光雷达与3D传感芯片、高速光通信激光芯片、器件、光纤耦合模块、阵列、直接半导体激光器五大类多系列产品亮相 5331 展位，其中不乏首次面世的新品。
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创新技术奖丨南宫28ng850nm 100G PAM4 VCSEL 芯片
12月6日，2024年度ICC讯石光通信行业英雄榜颁奖典礼在苏州举办，南宫28ng850nm 100G PAM4 VCSEL 芯片荣获创新技术奖！
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突破丨南宫28ng高功率半导体单管芯片功率超过100W！
高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件，其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代，商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点，代表了芯片综合技术能力的发展水平。迄今已知最高水平近日，南宫28ng超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温连续功率超过100W(芯片条宽500μm)，工作效率62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高
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