南宫28ng2024年度四大技术成果

【概要描述】随着激光在工业、通信等领域的持续渗透，对上游核心芯片提出更高要求，南宫28ng顺应市场需求，持续优化工艺、创新技术，有效提升半导体激光芯片的功率、效率、速率等关键指标，分别在EEL和VCSEL芯片上取得显著成效，相关成果均在有影响力的国际期刊发表

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【概要描述】随着激光在工业、通信等领域的持续渗透，对上游核心芯片提出更高要求，南宫28ng顺应市场需求，持续优化工艺、创新技术，有效提升半导体激光芯片的功率、效率、速率等关键指标，分别在EEL和VCSEL芯片上取得显著成效，相关成果均在有影响力的国际期刊发表

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随着激光在工业、通信等领域的持续渗透，对上游核心芯片提出更高要求，南宫28ng顺应市场需求，持续优化工艺、创新技术，有效提升半导体激光芯片的功率、效率、速率等关键指标，分别在EEL和VCSEL芯片上取得显著成效，相关成果均在有影响力的国际期刊发表：

在超高功率单管芯片结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的双结单管芯片室温连续功率超过132W（芯片条宽 500μm），工作效率 62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元！

该研究成果在国际SCI知名期刊《photonics》上发表。

在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了如光栅设计和材料生长等多个难点，取得突破性进展，开发的780nm宽条分布反馈（DFB）激光器室温连续输出功率超过10W。创下了780nm波段DFB激光器的最高纪录，同时在宽电流与温度范围内保持了良好的锁波特性。

该研究成果在光子学领域权威期刊《IEEE Photonics Journal》上发表。

03 | VCSEL 多结VCSEL电光效率达74%

攻克低损耗多结VCSEL结构，将面发射芯片效率从20年前的61%一跃提高至74%，打破近20年来VCSEL效率发展停滞的局面，改变了VCSEL在效率上无法超过边发射激光器的固有认知！

该研究成果发表在国际光学前三的Light: Science & Applications上。

构建了多结VCSEL的模式分析模型，解决了单模功率难以突破10mW左右水平的难题，在直流驱动下实现了20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率达42%，发散角为9.8° (1/e2)和5.1° (FWHM)。这是迄今为止单颗VCSEL的最高单模功率，其功率值接近现有单模功率记录的两倍。

该研究成果发表在国际光学领域头部期刊Photonics Research。

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