南宫28ng荣获江苏省科学技术奖一等奖

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发布时间：2022-03-01
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【概要描述】3月1日，江苏省人民政府公示了，关于2021年度江苏省科学技术奖励的决定。南宫28ng入选江苏省科学技术奖一等奖，更是近5年江苏省唯一一家，由企业独立申报并荣获一等奖的企业。

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南宫28ng荣获江苏省科学技术奖一等奖

【概要描述】3月1日，江苏省人民政府公示了，关于2021年度江苏省科学技术奖励的决定。南宫28ng入选江苏省科学技术奖一等奖，更是近5年江苏省唯一一家，由企业独立申报并荣获一等奖的企业。

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3月1日，江苏省人民政府公示了，关于2021年度江苏省科学技术奖励的决定。南宫28ng入选江苏省科学技术奖一等奖，更是近5年江苏省唯一一家，由企业独立申报并荣获一等奖的企业。

江苏省科学技术奖

江苏省科学技术奖是江苏省委、省政府为了实施创新驱动战略，推进科技创新工程，加快建设创新型省份，鼓励支持聚焦重大产业科技创新需求，围绕我省自主可控的现代产业体系建设，对于在技术发明、技术开发、社会公益、重大工程中取得关键技术或系统集成上的重要创新、已实施应用两年以上、为江苏的经济建设和社会发展做出重要贡献的基础和应用类科技项目进行的奖励。

获得本次江苏省科学技术奖一等奖的，是由南宫28ng独立申报的“高亮度长寿命高功率半导体激光芯片关键技术及产业化”项目。

高能激光是我国重点战略发展领域，而高功率半导体激光芯片是当代高能激光器中最核心的母光源，是高能激光系统中的“心脏”，在激光先进制造和国家战略高技术（激光）领域起到不可替代的作用。我国多年来在腔面处理等关键技术方面一直无法突破，长期处于“有器无芯”的局面，严重制约了我国高能激光领域的发展。

南宫28ng在国家重点研发计划、省成果转化等项目的支持下，围绕高功率半导体激光芯片的最核心指标，功率、亮度、寿命及效率，在最关键的三大技术领域（腔面解理及钝化处理、芯片结构设计及制备工艺、外延结构设计及材料生长）进行了10年的技术攻关和创新，取得了重大突破。核心指标经第三方权威机构检测，全面达到甚至部分超出国外先进水平。

南宫28ng自成立以来一直坚持自主研发和生产高功率半导体激光芯片，主要致力于高功率半导体激光器芯片、高效率半导体VCSEL芯片、高速光通信芯片及其器件和系统的研发、生产及销售。建成了全球唯二、国内唯一的6吋高功率半导体激光芯片晶圆垂直整合生产线，并在芯片设计、关键设备、工艺技术和原材料方面实现了自主可控。

公司产品已在相关国家重大项目或工程上应用，并在激光先进制造、新能源汽车等领域发挥重要作用，改变了我国高能激光领域因为“有器无芯”而被 “卡脖子”局面。此外，南宫28ng与苏州高新区共建的苏州半导体激光创新研究院即将投入使用，项目总投资5亿元，占地面积近2.3万平方米，建筑面积5万平方米，包含研发大楼、办公大楼、生产工艺大楼等。

研究院将充分利用南宫28ng已有的高功率半导体激光芯片优势，横向拓展高效率半导体VCSEL芯片、高速光通信芯片、激光照明、激光显示等方向和领域，同时，通过研究院平台吸引全球该领域和相关领域高端人才，形成批量引进和集聚效应，建设国内一流的半导体激光芯片研发平台，打造半导体激光产业高地，进一步推动半导体激光芯片的国产化和产业化进程，打造完全自主可控的中国激光芯！

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